[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710441615.1 申请日: 2017-06-13
公开(公告)号: CN107293647A 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: 唐建新;许瑞鹏;刘悦琪;李艳青 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 代理人: 李广
地址: 215000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请公开了一种量子点发光二极管及其制备方法,包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极,其特征在于所述的电子传输层的上表面设有呈准周期或非周期性形状且折射率沿出射光方向呈梯度变化的纳米凹凸结构。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管的效率得到了显著提升,其效率遥遥领先于其他倒置量子点器件。
搜索关键词: 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
一种量子点发光二极管,包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极,其特征在于:所述的电子传输层的上表面设有折射率沿出射光方向呈梯度变化的纳米凹凸结构。
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