[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，其特征在于：所述的电子传输层的上表面设有折射率沿出射光方向呈梯度变化的纳米凹凸结构。

2.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于：所述的纳米凹凸结构的周期200-600nm之间，槽深在20-30nm之间，占空比0.5-0.6之间。

3.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层为溶胶-凝胶法制备的金属氧化物薄膜，所述的电子传输层的上表面具有界面修饰层。

4.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述衬底为玻璃或柔性塑料，或设有TFT驱动电路的玻璃或塑料基板。

5.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极和阴极中至少有一种是透明的。

6.根据权利要求4所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，

所述阴极为铟锡氧化物或铝锌氧化物或AgNW材料制成的电极，或

所述的阴极为Al或Ag或Mg或Ca或Ba材料制成的电极。

7.根据权利要求4所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极为铟锡氧化物或氟锡氧化物或铝锌氧化物或AgNW材料制成的电极，或，所述的阳极为Au或Pt或Pd材料制成的电极。

8.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层材料为ZnO或TiO_x。

9.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、聚(9-乙烯基咔唑)、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述界面修饰层为聚乙烯亚胺、聚乙氧基乙烯亚胺、9，9-二辛基芴-9，9-双(N，N-二甲基胺丙基)芴中的一种或多种。

11.根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层中的量子点为红、绿、蓝色量子点中的一种或多种，量子点含有能与表面形成稳定配位的配体，所述的量子点发光层为单层或多层。

12.一种如权利要求1～10任一项所述一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括：在衬底上设置阴极层，在带有阴极层的衬底上制作电子传输层，在电子传输层上印压纳米凹凸结构，在电子传输层上依次制作量子点发光层、空穴传输层和阳极。

13.根据权利要求11所述的一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述的制备方法具体为，

(1)在衬底上制作阴极层，将带有阴极层的衬底依次置于洗涤剂、去离子水、丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗，清洗完成后烘干，然后进行紫外臭氧处理；

(2)配制金属氧化物前驱体溶液；

(3)在步骤(1)中的衬底上，旋涂步骤(2)中的金属氧化物前驱体溶液，形成电子传输层，在电子传输层上印压纳米凹凸结构；

(4)将步骤(3)的电子传输层上旋涂量子点溶液，形成量子点发光层；

(5)在量子点发光层上旋涂空穴传输层；

(6)在步骤(5)空穴传输层上镀一层金属阳极。

14.根据权利要求12所述的一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤(3)还包括，在所述的电子传输层的上表面引入界面修饰层。

15.根据权利要求12所述的一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述的阴极厚度控制在100-200nm；电子传输层厚度控制为40-80nm；界面修饰层厚度控制为4-15nm。

16.根据权利要求13所述的一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，量子点发光层厚度控制为30-100nm，空穴传输层厚度为40-100nm，阳极厚度控制为100-200nm。