[发明专利]一种微流控MEMS芯片封装方法

摘要

本发明涉及一种微流控MEMS芯片封装方法，用于对具有微流道结构的上层基板和与上层基板相层叠连接的下层基板进行封装得到微流控MEMS芯片，该方法包括以下步骤第一步、制备下层基板；第二步、制备上层基板；第三步、制备芯片半成品；第四步、芯片半成品预加热；第五步、射频电源轰击芯片半成品。本发明的优点是采用射频技术作用于上下层基板的金属膜，使金属膜表面形成局部高温，导致基板表面融化后与金属膜熔接，进而使上、下层基板更好的紧密结合在一起，大大提高了产品的键合精度，避免了封装过程妨碍微流道结构，进而提高了芯片封装的成品率，缩短了生产周期，降低了生产成本。

主权项

一种微流控MEMS芯片封装方法，用于对具有微流道结构的上层基板和与上层基板相层叠连接的下层基板进行封装得到微流控MEMS芯片，其特征在于，包括以下步骤：第一步、制备下层基板——在玻璃材质的下层基板上表面镀一层200±50nm厚的金属膜，利用MEMS工艺，在下层基板的金属膜上制作微流道；第二步、制备上层基板——在玻璃材质的上层基板下表面镀一层200±50nm厚的金属膜，在上层基板的金属膜上涂匀光刻胶后，进行光刻曝光、显影，刻蚀形成与下层基板的微流道相同的图案；第三步、制备芯片半成品——将上层基板与下层基板对准后，靠机械力压紧形成芯片半成品；第四步、芯片半成品预加热——将芯片半成品置于真空度小于0.0001Pa的真空腔中，照射远红外预加热至350±50℃保温2±1分钟；第五步、射频电源轰击芯片半成品——射频电源产生13.56±5MHZ的电磁波，并在电磁波上调制200±50W的能量，电磁波穿过上、下层基板聚集于金属膜，金属膜吸收电磁波能量后升温，在比玻璃软化点高的温度下使上、下层基板的表面融化，上层基板与下层基板熔接形成微流控MEMS芯片。