[发明专利]被金属覆盖层覆盖的钴互连有效
| 申请号： | 201710421711.X | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107481995B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张洵渊;法兰克·W·蒙特 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及被金属覆盖层覆盖的钴互连，揭示芯片的互连以及形成此类互连的方法。在介电层中形成开口并在该开口中形成接触。在该接触的顶部表面上形成金属覆盖层。该接触由钴组成，且该金属覆盖层覆盖该接触的该顶部表面。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 覆盖层 覆盖 互连 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，包括：/n介电层，包括具有侧壁的开口；/n接触，位于该开口中，该接触由钴组成；以及/n金属覆盖层，位于该接触的顶部表面上，该金属覆盖层覆盖该接触的该顶部表面，其中，该金属覆盖层包括第一部分、第二部分及第三部分，该第三部分位于该第二部分与该开口的该侧壁之间，该金属覆盖层的该第一部分由第一材料组成，该金属覆盖层的该第二部分由在成分上不同于该第一材料的第二材料组成，该金属覆盖层的该第三部分由在成分上不同于该第二材料的第三材料组成，该第一材料主要由铜组成，该第二材料由铜及锰或铝组成，且该第三材料主要由锰或铝组成。/n
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