[发明专利]Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201710421218.8 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107359122B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法，该方法包括：选取蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底表面生长Ga |
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| 搜索关键词： | mn 掺杂 异质结 自旋 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取蓝宝石衬底；(b)在所述蓝宝石衬底表面生长Ga2O3外延层；(c)在所述Ga2O3外延层注入Mn离子形成源区和漏区；(d)对所述Ga2O3外延层进行涂胶、显影，在所述源区和所述漏区表面制作欧姆接触源极和漏极；(e)利用等离子体增强化学气相淀积法在所述Ga2O3外延层表面生长隔离层；(f)在所述Ga2O3外延层表面制作肖特基接触栅电极。
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