[发明专利]场效应晶体管和半导体结构有效
| 申请号： | 201710406601.6 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107464846B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | M.坎托罗;许然喆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及场效应晶体管和半导体结构。场效应晶体管包括半导体基板和在半导体基板上的鳍结构，该半导体基板包括具有第一晶格常数的第一半导体材料。鳍结构包括具有第二晶格常数的第二半导体材料，第二晶格常数与第一晶格常数不同。鳍结构还包括在第一方向上伸长的下部、从下部突出并在不同于第一方向的第二方向上伸长的多个上部以及与多个上部交叉的栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：半导体基板，包括具有第一晶格常数的第一半导体材料；和鳍结构，在所述半导体基板上，所述鳍结构包括具有第二晶格常数的第二半导体材料，所述第二晶格常数与所述第一晶格常数不同，其中所述鳍结构包括：下部，在第一方向上伸长；多个上部，从所述下部突出并在与所述第一方向不同的第二方向上伸长；以及栅极结构，与所述多个上部交叉。
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