[发明专利]场效应晶体管和半导体结构

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

半导体基板，包括具有第一晶格常数的第一半导体材料；和

鳍结构，在所述半导体基板上，所述鳍结构包括具有第二晶格常数的第二半导体材料，所述第二晶格常数与所述第一晶格常数不同，

其中所述鳍结构包括：

下部，在第一方向上伸长；

多个上部，从所述下部突出并在与所述第一方向不同的第二方向上伸长；以及

栅极结构，与所述多个上部交叉，

其中所述上部在所述下部的相反两侧在所述第二方向上延伸超过所述下部。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述栅极结构包括：

栅极电极，在所述第一方向上延伸并与所述鳍结构的所述上部交叉；和

栅极绝缘层，设置在所述栅极电极和所述鳍结构的所述上部之间。

3.如权利要求2所述的场效应晶体管，还包括源极/漏极区域，所述源极/漏极区域提供在所述鳍结构的所述上部中且在所述栅极电极的相反两侧。

4.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述下部的高度大于所述下部在所述第二方向上的宽度的两倍，并且

所述下部在所述第一方向上的长度大于所述下部的高度。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述上部在所述第一方向上的宽度小于所述下部在所述第二方向上的宽度，并且

所述上部的高度大于所述上部在所述第一方向上的宽度的两倍。

6.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述下部包括晶体缺陷，所述上部基本上没有晶格缺陷。

7.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述鳍结构是单一体，其中在所述下部和所述上部之间没有形成界面。

8.如权利要求1所述的场效应晶体管，还包括器件隔离层，所述器件隔离层与所述下部的在所述第二方向上彼此面对的相对侧壁接触。

9.如权利要求8所述的场效应晶体管，还包括第一绝缘分隔图案，所述第一绝缘分隔图案与所述下部的在所述第一方向上彼此面对的相对侧壁接触，

其中所述第一绝缘分隔图案的底表面相对于所述半导体基板位于比所述鳍结构的底表面低的水平面处。

10.如权利要求1所述的场效应晶体管，还包括在所述鳍结构的所述上部之间的硬掩模图案，其中所述硬掩模图案与所述鳍结构的所述下部的顶表面接触。

11.如权利要求10所述的场效应晶体管，还包括第二绝缘分隔图案，所述第二绝缘分隔图案与所述上部的在所述第一方向上彼此面对的相对侧壁接触。

12.一种场效应晶体管，包括：

半导体基板，包括第一半导体材料；

包括第二半导体材料的多个鳍结构，在所述半导体基板上，其中所述第二半导体材料与所述第一半导体材料不同，其中所述鳍结构彼此间隔开，并且其中每个所述鳍结构包括在第一方向上伸长的下部和从所述下部突出并在不同于所述第一方向的第二方向上与所述下部交叉的多个上部；

多个栅极电极，平行于所述鳍结构的所述下部延伸并与所述鳍结构的所述上部交叉；以及

源极/漏极区域，在所述鳍结构的所述上部中且在所述栅极电极的相反两侧，

其中每个所述鳍结构中所述上部在所述下部的相反两侧在所述第二方向上延伸超过所述下部。

13.如权利要求12所述的场效应晶体管，其中所述鳍结构的所述下部提供在所述栅极电极之下并在所述第二方向上彼此间隔开。

14.如权利要求12所述的场效应晶体管，其中所述下部在所述第一方向上的长度大于所述下部的高度。