[发明专利]一种电耦合化学气相沉积法制备碳化硅涂层的装置和方法有效
申请号: | 201710396960.8 | 申请日: | 2017-05-31 |
公开(公告)号: | CN108977795B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 汤素芳;庞生洋;胡成龙;王石军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/44 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 许宗富;周秀梅 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种电耦合化学气相沉积法制备碳化硅涂层的装置和方法,属于碳化硅涂层技术领域。本发明装置包括带有水冷壁的炉体、石墨电极工装、气源系统、真空泵和尾气处理系统;所述石墨电极工装用于固定和通电加热待沉积样品,通过气源系统向炉体内通入气源物质,炉体的顶部依次连接真空泵和尾气处理系统。采用电耦合化学气相沉积法制备以C/C复合材料或石墨为基体的SiC涂层,首先对炉体进行通电加热,同时水冷壁对炉体进行冷却,使基体内外形成所需的温度梯度,然后向炉体内通入气源气体进行沉积;沉积温度为900~1400℃,反应时间为3~10小时。本发明能够实现大尺寸、低成本、短周期、高效率SiC涂层的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 耦合 化学 沉积 法制 碳化硅 涂层 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电耦合化学气相沉积法制备碳化硅涂层的装置,其特征在于:该装置包括带有水冷壁的炉体、石墨电极工装、气源系统、真空泵和尾气处理系统;其中:所述石墨电极工装设于炉体内部,用于固定和通电加热待沉积样品,所述炉体的底部设有进气管,该进气管连接所述气源系统,所述气源系统用于向炉体内输送沉积用气源气体;所述炉体的顶部通过管道连接真空泵,真空泵连接尾气处理系统。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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