[发明专利]一种上电复位电路在审
| 申请号： | 201710395062.0 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN107222192A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种上电复位电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第一隔离器件、第二隔离器件；第一隔离器件的一端接电源电压，另一端接第一PMOS晶体管的栅极和第一NMOS晶体管的漏极和栅极，第一NMOS晶体管的源极接地；第一PMOS晶体管的源极接电源，漏极接第二隔离器件的一端，并作为电路的输出端；第二隔离器件的另一端接地。该电路将电源电压与第一PMOS晶体管的阈值电压和第一NMOS晶体管晶体的阈值电压之和进行比较，当电源电压超过两者之和时，输出一个复位信号。该电路无需复杂的电路结构，实现了对芯片上电过程的检测，简化了电路结构，从而降低了芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复位 电路 | ||
【主权项】：
一种上电复位电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第一NMOS晶体管N1和第一隔离器件、第二隔离器件；第一隔离器件的一端接电源电压，另一端接第一PMOS晶体管P1的栅极和第一NMOS晶体管N1的漏极和栅极，第一NMOS晶体管N1的源极接地；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，漏极接第二隔离器件的一端，并作为电路的输出端Uout；第二隔离器件的另一端接地。
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