[发明专利]一种上电复位电路

说明书

技术领域

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种上电复位电路。

背景技术

上电复位电路的作用在于在电路上电期间产生复位信号对系统进行复位，目前的上电复位电路大都结构复杂，占用芯片面积大。

如公开号为CN101795129A的上电复位电路，其在电源电压达到第一规定电压时输出复位信号，该上电复位电路包括：第一输出电路，其具有第一PMOS晶体管和第一电流源，且具有第一输出电路反转阈值电压，对第一控制电路进行控制；第二输出电路，其具有第二PMOS晶体管和第二电流源，且具有作为比所述第一输出电路反转阈值电压低的第二输出电路反转阈值电压的所述第一规定电压，该第二输出电路以如下方式进行工作：当所述电源电压高于所述第一规定电压时，输出所述复位信号；第一源极跟随电路，其被施加比所述第二输出电路反转阈值电压低的基准电压，向所述第一控制电路的输入端子输出基于所述基准电压的电压；第二源极跟随电路，其被施加所述基准电压，向所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的栅极输出基于所述基准电压的电压；所述第一控制电路，其具有第一电容，且以如下方式进行工作：当所述电源电压高于所述第一输出电路反转阈值电压时，开始对所述第一电容进行充电，在经过规定时间后，不输出所述复位信号；以及第二控制电路，其具有第二电容，当所述电源电压低于第二规定电压时，该第二控制电路将所述第二电容与所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的栅极连接起来。

该上电复位电路具有第一输出电路、第二输出电路、第一源极跟随电路、 第二源极跟随电路、第一控制电路、第二控制电路等实现电路的复位，结构复杂，占用芯片面积大。

发明内容

为解决现有上电复位电路需要对电源进行比较复杂的检测，然后输出一个有效的复位信号，从而造成复位电路比较复杂，占用芯片面积大的技术问题，本发明提供了一种电路结构简单的上电复位电路。

一种上电复位电路，包括：第一PMOS晶体管P1、第一NMOS晶体管N1和第一隔离器件、第二隔离器件；第一隔离器件的一端接电源电压，另一端接第一PMOS晶体管P1的栅极和第一NMOS晶体管N1的漏极和栅极，第一NMOS晶体管N1的源极接地；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，漏极接第二隔离器件的一端，并作为电路的输出端U_out；第二隔离器件的另一端接地。

进一步的，所述第一隔离器件和第二隔离器件为无源隔离器件。

进一步的，所述第一隔离器件为第一电阻R1，所述第二隔离器件为第二电阻R2；所述第一电阻R1的一端接电源电压，另一端接第一PMOS晶体管P1的栅极和第一NMOS晶体管N1的漏极和栅极，第一NMOS晶体管N1的源极接地；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，漏极接第二电阻R2的一端，并作为电路的输出端U_out；第二电阻R2的另一端接地。

进一步的，所述第一隔离器件和第二隔离器件为有源隔离器件。

进一步的，所述第一隔离器件为第二PMOS晶体管P2，所述第二隔离器件为第二NMOS晶体管N2；第二PMOS晶体管P2的栅极接地，源极接电源电压，漏极接第一PMOS晶体管P1的栅极和第一NMOS晶体管N1的漏极和栅极；第一NMOS晶体管N1的源极接地，第一PMOS晶体管P1的源极接电源，漏极接第二NMOS晶体管N2的漏极，并作为电路的输出端U_out；第二NMOS晶体管N2的源极接地，栅极接电源。

本发明的上电复位电路中，将电源电压与第一PMOS晶体管P1的阈值电 压和第一NMOS晶体管晶体N1的阈值电压之和进行比较，当电源电压超过两者之和时，输出一个复位信号。该电路无需复杂的电路结构，实现了对芯片上电过程的检测，简化了电路结构，从而降低了芯片成本。

附图说明

图1是本发明提供的上电复位电路结构示意图；

图2是本发明实施例一提供的上电复位电路结构示意图；

图3是本发明实施例二提供的上电复位电路结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。