[发明专利]一种上电复位电路在审
| 申请号： | 201710395062.0 | 申请日： | 2017-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN107222192A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复位 电路 | ||
1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第一NMOS晶体管N1和第一隔离器件、第二隔离器件；第一隔离器件的一端接电源电压，另一端接第一PMOS晶体管P1的栅极和第一NMOS晶体管N1的漏极和栅极，第一NMOS晶体管N1的源极接地；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，漏极接第二隔离器件的一端，并作为电路的输出端Uout；第二隔离器件的另一端接地。
2.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一隔离器件和第二隔离器件为无源隔离器件。
3.如权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一隔离器件为第一电阻R1，所述第二隔离器件为第二电阻R2；所述第一电阻R1的一端接电源电压，另一端接第一PMOS晶体管P1的栅极和第一NMOS晶体管N1的漏极和栅极，第一NMOS晶体管N1的源极接地；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，漏极接第二电阻R2的一端，并作为电路的输出端Uout；第二电阻R2的另一端接地。
4.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一隔离器件和第二隔离器件为有源隔离器件。
5.如权利要求4所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一隔离器件为第二PMOS晶体管P2，所述第二隔离器件为第二NMOS晶体管N2；第二PMOS晶体管P2的栅极接地，源极接电源电压，漏极接第一PMOS晶体管P1的栅极和第一NMOS晶体管N1的漏极和栅极；第一NMOS晶体管N1的源极接地，第一PMOS晶体管P1的源极接电源，漏极接第二NMOS晶体管N2的漏极，并作为电路的输出端Uout；第二NMOS晶体管N2的源极接地，栅极接电源。
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