[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201710393738.2 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107195736B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘华容;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、无掺杂GaN层、N型层、发光层MQW和P型层，其特征在于，所述高温缓冲层为未掺杂的InGaN层和掺镁的InGaN层交替生长的层叠结构，所述未掺杂的InGaN层的数量为n，所述掺镁的InGaN层的数量为n‑1，n>2且n为整数。通过在高温缓冲层掺杂镁，高温缓冲层主要是三维生长模式，镁有利于三维生长的优势，减少缺陷，提高材料的晶体质量。通过在高温缓冲层加入一点铟杂质，可以有效减少位错数量，减少缺陷，提高材料的晶体质量，从而提高发光二极管的内量子效率和抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、无掺杂GaN层、N型层、MQW发光层和P型层，其特征在于，/n所述高温缓冲层为未掺杂的InGaN层和掺镁的InGaN层交替生长的层叠结构，所述未掺杂的InGaN层的数量为n，所述掺镁的InGaN层的数量为n-1，n>2且n为整数；/n所述高温缓冲层中未掺杂的InGaN层和掺镁的InGaN层均为In
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