[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201710393738.2 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107195736B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘华容;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、无掺杂GaN层、N型层、MQW发光层和P型层，其特征在于，
所述高温缓冲层为未掺杂的InGaN层和掺镁的InGaN层交替生长的层叠结构，所述未掺杂的InGaN层的数量为n，所述掺镁的InGaN层的数量为n-1，n>2且n为整数；
所述高温缓冲层中未掺杂的InGaN层和掺镁的InGaN层均为InxGa1-xN层，0<x<0.1；
所述高温缓冲层采用delta掺杂方式掺杂镁，所述delta掺杂方式包括：
第一步，通入镓源和铟源，生长50～100nm的高温缓冲层；
第二步，停止通入镓源和铟源，通入5-80s的镁源，然后停止通入镁源；
交替执行第一步和第二步，直至所述高温缓冲层的厚度达到设定值。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述高温缓冲层的厚度为100-500nm。
3.一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、无掺杂GaN层、N型层、MQW发光层和P型层，
其中，所述高温缓冲层为未掺杂的InGaN层和掺镁的InGaN层交替生长的层叠结构，所述未掺杂的InGaN层的数量为n，所述掺镁的InGaN层的数量为n-1，n>2且n为整数；
所述高温缓冲层中未掺杂的InGaN层和掺镁的InGaN层均为InxGa1-xN层，0<x<0.1；
所述高温缓冲层采用delta掺杂方式掺杂镁，所述delta掺杂方式包括：
第一步，通入镓源和铟源，生长50～100nm的高温缓冲层；
第二步，停止通入镓源和铟源，通入5-80s的镁源，然后停止通入镁源；
交替执行第一步和第二步，直至所述高温缓冲层的厚度达到设定值。
4.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于，所述高温缓冲层采用delta掺杂方式掺杂镁时，每次通入镁源的时间为20s。
5.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于，所述高温缓冲层采用delta掺杂方式掺杂镁时，每次通入镁源的流量为10-1000sccm。
6.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于，所述高温缓冲层采用delta掺杂方式掺杂镁时，通入镁源的次数为2-10次。
7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，所述高温缓冲层的生长温度为900-1100℃。
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