[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710388665.8 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107195735B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、非掺杂氮化镓层、应力释放层、P型氮化镓层、电子阻挡层、多量子阱层、电流阻挡层和N型氮化镓层，应力释放层包括多个子层，各个子层包括P型掺杂的铝镓氮层和P型掺杂的铟镓氮层。本发明通过应力释放层包括交替层叠设置的P型掺杂的铝镓氮层和P型掺杂的铟镓氮层，P型掺杂的铟镓氮层的生长温度较低，生长质量较差，使晶体不再按照晶向生长，晶体的生长方向变得杂乱无章，应力的延伸方向也相应发生改变，不同方向的应力进行合并和抵消，极大地释放了蓝宝石衬底和氮化镓材料之间晶格失配产生的应力，降低了位错和缺陷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、应力释放层、P型氮化镓层、电子阻挡层、多量子阱层、电流阻挡层和N型氮化镓层，其特征在于，所述应力释放层包括依次层叠在所述非掺杂氮化镓层上的多个子层，各个所述子层包括P型掺杂的铝镓氮层和P型掺杂的铟镓氮层；各个所述子层还包括P型掺杂的铝铟镓氮层，所述P型掺杂的铝铟镓氮层层叠在所述P型掺杂的铝镓氮层和所述P型掺杂的铟镓氮层之间。
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