[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710388641.2 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107134515A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，多量子阱层包括多个量子阱和多个量子垒，多个量子阱和多个量子垒交替层叠设置，量子阱为铟镓氮层，多量子阱层还包括至少一个石墨烯薄膜层，各个石墨烯薄膜层分别设置在两个相邻的量子阱和量子垒之间，当石墨烯薄膜层的数量超过1个时，相邻两个石墨烯薄膜层之间设有至少一个量子阱或者至少一个量子垒。本发明可以提高量子阱中铟的有效掺杂，从而可以采用较高的温度生长量子阱，提高量子阱的生长质量，改善界面极化，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述多量子阱层包括多个量子阱和多个量子垒，所述多个量子阱和所述多个量子垒交替层叠设置，所述量子阱为铟镓氮层，其特征在于，所述多量子阱层还包括至少一个石墨烯薄膜层，各个所述石墨烯薄膜层分别设置在两个相邻的所述量子阱和所述量子垒之间，当所述石墨烯薄膜层的数量超过1个时，相邻两个所述石墨烯薄膜层之间设有至少一个所述量子阱或者至少一个所述量子垒。
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