[发明专利]碳化金属薄膜的蒸镀方法

摘要

本发明涉及一种在半导体制程中蒸镀碳化金属薄膜，并将所述碳化金属薄膜用作硬质遮罩的方法，更详细而言，涉及一种如下的碳化金属薄膜的蒸镀方法为了解决在将以往的非晶质碳膜用作硬质遮罩时，因蚀刻选择比较低引起的图案化问题、与在蚀刻后无法容易地去除硬质遮罩的问题，利用包括金属及碳的前驱物，通过等离子体加强化学气相沉积方式形成碳化金属薄膜，而明显地提高蚀刻选择比，减小晶粒尺寸而将薄膜非晶质化，由此可在蚀刻后容易地去除硬质遮罩，可通过调节碳化金属薄膜中所包括的金属与碳的相对含量而明显地降低碳化金属薄膜的整体内部应力。

主权项

一种碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于包括以下步骤：第一步骤，将包括金属及碳的单一前驱物气化而供给到反应器内；以及第二步骤，在所述反应器内产生等离子体，分解经气化的所述单一前驱物，以在经加热的基板上蒸镀碳化金属薄膜。