[发明专利]碳化金属薄膜的蒸镀方法

权利要求书

1.一种碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于包括以下步骤：

第一步骤，将包括金属及碳的单一前驱物气化而供给到反应器内；以及

第二步骤，在所述反应器内产生等离子体，分解经气化的所述单一前驱物，以在经加热的基板上蒸镀碳化金属薄膜。

2.根据权利要求1所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

所述单一前驱物中的金属为钨。

3.根据权利要求2所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

所述单一前驱物还包括氮。

4.根据权利要求3所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

所述单一前驱物为双(叔丁基胺)双(二甲基胺)钨。

5.根据权利要求2所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

所述碳化金属薄膜中的钨的含量为25％至50％的原子含量。

6.根据权利要求1所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

所述碳化金属薄膜的晶粒尺寸为3nm以下。

7.根据权利要求6所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

所述碳化金属薄膜为非晶质。

8.根据权利要求6所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

所述碳化金属薄膜混合存在非晶质与晶质，所述碳化金属薄膜内的非晶质多于晶质。

9.根据权利要求1所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

在300℃以上至550℃以下的温度下进行蒸镀所述碳化金属薄膜的步骤。

10.根据权利要求1所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

在所述第一步骤中，将包括氦气或氩气中的至少一种以上的惰性气体连同所述单一前驱物一并供给到所述反应器内。

11.根据权利要求1所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

所述碳化金属薄膜为硬质遮罩层。

12.根据权利要求1所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

在蒸镀所述碳化金属薄膜后，将氦气供给到所述反应器内而产生等离子体。

13.根据权利要求1所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

调节所述第一步骤的包括金属与碳的所述单一前驱物的供给量及所述第二步骤的等离子体的产生周期中的至少一个，以蒸镀所述碳化金属薄膜。

14.根据权利要求13所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

周期性地改变所述单一前驱物的供给量。

15.根据权利要求14所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

周期性地改变所述单一前驱物的供给量包括供给预先设定的流量的所述单一前驱物的步骤，与不供给所述单一前驱物的步骤。

16.根据权利要求14所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

在蒸镀所述碳化金属薄膜的期间，固定地保持等离子体的产生。

17.根据权利要求13所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

在蒸镀所述碳化金属薄膜的期间，反复进行供给等离子体的步骤与不供给等离子体的步骤。

18.根据权利要求13所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

通过调节等离子体的产生周期或所述单一前驱物的供给量，以调节所述碳化金属薄膜内的钨或碳的含量。

19.根据权利要求13所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

调节等离子体的产生周期，在供给等离子体的情况下，向所述反应器内供给所述单一前驱物，在不供给等离子体的情况下，不向所述反应器内供给所述单一前驱物。

20.根据权利要求13所述的碳化金属薄膜的蒸镀方法，其特征在于：

在蒸镀所述碳化金属薄膜后，将氦气供给到所述反应器内而产生等离子体。