[发明专利]用于DDR SDRAM接口的DRAM辅助纠错方法有效
| 申请号： | 201710376331.9 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107766172B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 牛迪民;张牧天;郑宏忠;金炫中;宋元亨;崔璋石 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;董婷 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了用于DDR SDRAM接口的DRAM辅助纠错机制。一种使用双倍数据速率(DDR)接口来纠正动态随机存取存储器模块(DRAM)的存储器错误的方法包括：使用存储器控制器进行包括多个突发的存储器事务，以将数据从DRAM的数据芯片发送到存储器控制器；使用DRAM的ECC芯片检测一个更或多个错误；使用DRAM的ECC芯片确定具有错误的突发的数量；确定具有错误的突发的数量是否大于阈值数量；确定错误的类型；基于确定的错误的类型来指引存储器控制器，其中，DRAM包括每个存储器通道单个ECC芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 ddr sdram 接口 dram 辅助 纠错 方法 | ||
【主权项】：
一种使用双倍数据速率接口来纠正动态随机存取存储器模块的存储器错误的方法，所述方法包括：利用存储器控制器进行包括多个突发的存储器事务，以将数据从动态随机存取存储器模块的数据芯片发送到存储器控制器；使用动态随机存取存储器模块的纠错码芯片来检测一个或更多个错误；使用动态随机存取存储器模块的纠错码芯片来确定具有错误的突发的数量；确定具有错误的突发的数量是否大于阈值数量；确定错误的类型；基于所确定的错误的类型来指引存储器控制器，其中，动态随机存取存储器模块包括每个存储器通道单个纠错码芯片。
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