[发明专利]用于DDR SDRAM接口的DRAM辅助纠错方法有效

专利信息
申请号: 201710376331.9 申请日: 2017-05-25
公开(公告)号: CN107766172B 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 牛迪民;张牧天;郑宏忠;金炫中;宋元亨;崔璋石 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;董婷
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 ddr sdram 接口 dram 辅助 纠错 方法
【权利要求书】:

1.一种使用双倍数据速率接口来纠正动态随机存取存储器模块的存储器错误的方法,所述方法允许存储器控制器在来自动态随机存取存储器模块的辅助下识别芯片故障,同时使用减少的纠错码芯片开销或减少的内部预取尺寸,所述方法包括:

利用存储器控制器进行包括多个突发的存储器事务,以将数据从动态随机存取存储器模块的数据芯片发送到存储器控制器;

使用动态随机存取存储器模块的纠错码芯片来检测一个或多个错误;

使用动态随机存取存储器模块的纠错码芯片来确定具有错误的突发的数量;

确定具有错误的突发的数量是否大于阈值数量;

确定错误的类型;以及

基于所确定的错误的类型来指引存储器控制器,

其中,动态随机存取存储器模块包括每个存储器通道单个纠错码芯片。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,使用动态随机存取存储器模块的纠错码芯片检测一个或多个错误的步骤包括:使用纠错码芯片对每个突发执行奇偶校验。

3.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:当具有错误的突发的数量不大于阈值数量时,指引存储器控制器重试从动态随机存取存储器模块的存储器读取。

4.根据权利要求3所述的方法,所述方法还包括:当存储器控制器重试存储器读取时检测另外的错误;以及

确定另外的错误是否具有与检测到的一个或多个错误相同的错误模式。

5.根据权利要求4所述的方法,所述方法还包括:当确定另外的错误具有与检测到的一个或多个错误不同的错误模式时,指引存储器控制器再次重试从动态随机存取存储器模块的存储器读取。

6.根据权利要求4所述的方法,所述方法还包括:当确定另外的错误具有与检测到的一个或多个错误相同的错误模式时,识别出硬错误;

指引存储器控制器辅助动态随机存取存储器模块进行纠错;以及

记录错误的地址。

7.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:当具有错误的突发的数量大于阈值数量时,确定所述一个或多个错误是否对应于同一芯片的同一引脚。

8.根据权利要求7所述的方法,所述方法还包括:当确定所述一个或多个错误对应于动态随机存取存储器模块的同一芯片的同一引脚时,确定所述一个或多个错误对应于引脚故障;以及

当确定所述一个或多个错误不对应于同一芯片的同一引脚时,确定所述一个或多个错误对应于芯片故障。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,指引存储器控制器的步骤包括:当所述一个或多个错误对应于引脚故障或芯片故障时,指引存储器控制器辅助芯片删除检测。

10.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:当具有错误的突发的数量大于阈值数量时,确定所述一个或多个错误是否对应于动态随机存取存储器模块的一个以上的芯片;

当确定所述一个或多个错误对应于动态随机存取存储器模块的同一芯片时,将动态随机存取存储器模块的相应芯片标记为擦除;以及

当确定所述一个或多个错误对应于动态随机存取存储器模块的一个以上的芯片时,识别出致命的错误。

11.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:当具有错误的突发的数量大于阈值数量时,确定动态随机存取存储器模块的另一个芯片是否先前已经被擦除;以及

当动态随机存取存储器模块的所述另一个芯片先前已经被擦除时,识别出致命的错误。

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