[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上具有栅极结构、第一保护层和第一介质层，第一保护层位于栅极结构的顶部表面，第一介质层覆盖栅极结构侧壁和第一保护层侧壁且暴露出第一保护层的顶部表面；在部分第一介质层上形成电阻结构，所述电阻结构包括停止层和位于停止层顶部表面的电阻核心层；在电阻结构和第一介质层上和第一保护层表面形成第二介质层；采用第一刻蚀工艺刻蚀第一保护层上的第二介质层、电阻核心层以及电阻核心层上的第二介质层直至暴露出第一保护层和停止层，形成第一栅极通孔和第一开口，第一栅极通孔位于第一保护层上的第二介质层中，第一开口贯穿电阻核心层和第二介质层。所述方法使半导体器件的性能提高。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构、第一保护层以及第一介质层，第一保护层位于栅极结构的顶部表面，第一介质层覆盖栅极结构侧壁和第一保护层侧壁且暴露出第一保护层的顶部表面；在部分第一介质层上形成电阻结构，所述电阻结构包括停止层和位于停止层顶部表面的电阻核心层；在电阻结构和第一介质层上、以及第一保护层表面形成第二介质层；采用第一刻蚀工艺刻蚀第一保护层上的第二介质层、电阻核心层以及电阻核心层上的第二介质层直至暴露出第一保护层和停止层，形成第一栅极通孔和第一开口，第一栅极通孔位于第一保护层上的第二介质层中，第一开口贯穿电阻核心层和第二介质层。