[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上具有栅极结构、第一保护层和第一介质层，第一保护层位于栅极结构的顶部表面，第一介质层覆盖栅极结构侧壁和第一保护层侧壁且暴露出第一保护层的顶部表面；在部分第一介质层上形成电阻结构，所述电阻结构包括停止层和位于停止层顶部表面的电阻核心层；在电阻结构和第一介质层上和第一保护层表面形成第二介质层；采用第一刻蚀工艺刻蚀第一保护层上的第二介质层、电阻核心层以及电阻核心层上的第二介质层直至暴露出第一保护层和停止层，形成第一栅极通孔和第一开口，第一栅极通孔位于第一保护层上的第二介质层中，第一开口贯穿电阻核心层和第二介质层。所述方法使半导体器件的性能提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

集成电路中通常包括有源器件和无源器件。有源器件包括MOS晶体管，而无源器件包括电阻。

MOS晶体管的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，位于栅极结构一侧半导体衬底内的源区和位于栅极结构另一侧半导体衬底内的漏区。

为了降低工艺成本，通常在形成栅极结构上的栅极通孔的过程中形成电阻。

然而，包括MOS晶体管和电阻的半导体器件的性能仍有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构、第一保护层以及第一介质层，第一保护层位于栅极结构的顶部表面，第一介质层覆盖栅极结构侧壁和第一保护层侧壁且暴露出第一保护层的顶部表面；在部分第一介质层上形成电阻结构，所述电阻结构包括停止层和位于停止层顶部表面的电阻核心层；在电阻结构和第一介质层上、以及第一保护层表面形成第二介质层；采用第一刻蚀工艺刻蚀第一保护层上的第二介质层、电阻核心层以及电阻核心层上的第二介质层直至暴露出第一保护层和停止层，形成第一栅极通孔和第一开口，第一栅极通孔位于第一保护层上的第二介质层中，第一开口贯穿电阻核心层和第二介质层。

可选的，进行第一刻蚀工艺后，采用第二刻蚀工艺刻蚀第一栅极通孔底部的第一保护层以及第一开口底部的停止层直至暴露出栅极结构的顶部表面，在第一栅极通孔底部的第一保护层中形成第二栅极通孔，在第一开口底部的停止层中形成第二开口。

可选的，所述停止层的材料和所述第一保护层的材料相同。

可选的，所述停止层的材料和所述第一保护层的材料为氮化硅、碳化硅、氮氧化硅或氧化钛。

可选的，所述电阻结构还包括第二保护层，所述第二保护层位于电阻核心层的顶部表面，所述第二介质层还位于第二保护层上；所述第一刻蚀工艺还刻蚀了第二保护层，所述第一开口还贯穿所述第二保护层。

可选的，所述第一刻蚀工艺对第二保护层的刻蚀速率大于对停止层的刻蚀速率。

可选的，所述第二保护层的材料包括氧化硅。

可选的，所述第二保护层的厚度为10埃～200埃。

可选的，所述电阻结构还包括位于部分第一介质层表面的阻挡层，且所述停止层位于阻挡层的顶部表面；形成所述电阻结构的方法包括：在第一介质层表面和第一保护层表面形成电阻结构材料层，电阻结构材料层包括位于第一介质层表面和第一保护层表面的阻挡材料层、位于阻挡材料层表面的停止材料层以及位于停止材料层表面的电阻核心材料层；刻蚀去除第一保护层表面以及部分第一介质层表面的电阻结构材料层，形成所述电阻结构。

可选的，在刻蚀去除第一保护层表面以及部分第一介质层表面的电阻结构材料层的过程中，刻蚀工艺对阻挡材料层的刻蚀速率小于对停止材料层的刻蚀速率，且刻蚀工艺对阻挡材料层的刻蚀速率小于对第一保护层的刻蚀速率。