[发明专利]一种高迁移率氮掺杂大单晶石墨烯薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710372584.9 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108950683B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;彭海琳;林立;孙禄钊;张金灿 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B29/64;C30B25/00;C23C16/26;C23C16/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高迁移率氮掺杂大单晶石墨烯薄膜及其制备方法。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜中氮原子以石墨型氮掺杂于石墨烯晶格中；氮原子的掺杂形式为簇状掺杂；至少3个氮原子与碳原子形成簇状结构镶嵌于石墨烯薄膜中。氮掺杂大单晶石墨烯薄膜的制备方法包括如下步骤：采用还原性气体和含氮碳源气体作为生长气氛，利用化学气相沉积法在生长基底上生长单晶石墨烯岛；在氧化性气氛中对单晶石墨烯岛进行钝化处理；钝化处理结束后，利用化学气相沉积法进行石墨烯再生长即得。本发明氮掺杂大单晶石墨烯薄膜可用于透明导电薄膜、透明电极、高频电子器件、发光器件、光伏器件、光电探测器件、电光调制器件、散热器件或疏水性器件封装中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 掺杂 晶石 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮掺杂大单晶石墨烯薄膜，其特征在于：氮原子以石墨型氮掺杂于石墨烯晶格中。
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