[发明专利]沟槽式功率半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710358757.1 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108962972B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 许修文;叶俊莹;倪君伟 | 申请（专利权）人： | 帅群微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 项荣;康宁宁 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法。沟槽式功率半导体元件的沟槽栅极结构位于一磊晶层的元件沟槽内，并至少包括遮蔽电极、栅极、绝缘层、中间介电层以及一内介电层。遮蔽电极设置于至少一元件沟槽的底部，栅极设置于遮蔽电极上并与遮蔽电极隔离。绝缘层覆盖元件沟槽的内壁面，而中间介电层位于绝缘层与遮蔽电极之间，并具有一底部开口。内介电层位于中间介电层与遮蔽电极之间，其中，构成中间介电层的材料与构成内介电层的材料相异，且内介电层填入底部开口内，以使沟槽栅极结构在遮蔽电极正下方的材料相同。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽式功率半导体元件，其特征在于，所述沟槽式功率半导体元件包括：一基材；一磊晶层，位于所述基材上，其中所述磊晶层具有至少一元件沟槽形成于其中；以及一沟槽栅极结构，位于所述元件沟槽内，其中，所述沟槽栅极结构包括：一遮蔽电极，设置于至少一所述元件沟槽的底部；一栅极，设置于所述遮蔽电极上并与所述遮蔽电极隔离；一绝缘层，覆盖至少一所述元件沟槽的内壁面；一中间介电层，位于所述绝缘层与所述遮蔽电极之间，其中，所述中间介电层于所述元件沟槽形成一底部开口；以及一内介电层，位于所述中间介电层与所述遮蔽电极之间，其中，所述内介电层的材料与所述中间介电层的材料相异，且所述内介电层填入所述底部开口内。
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