[发明专利]一种稀铋半导体量子阱

摘要

本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材料为S，Si，Se或Te，X为N，P，As，Sb。本发明引入δ掺杂层，有效扩展发光波长，与传统的通过增加Bi的含量扩展发光波长的GaAsBi量子阱相比，δ掺杂层的引入并没有增加材料的缺陷密度，而是使得量子阱对电子的束缚作用增强，不会降低发光强度，这对于扩展稀铋光电器件应用范围和提高器件性能都有重要的作用。

主权项

1.一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层(2)、含有铋元素的量子阱层(3)和上势垒层(4)；其特征在于，在量子阱层(3)中设有至少一层n型δ掺杂层(7)，该δ掺杂层(7)的材料为S，Si，Se或Te；n型δ掺杂层(7)的导带底和价带顶分别低于量子阱的材料的导带底和价带顶，δ掺杂层的引入使得在量子阱的导带和价带之间被引入V字形的势阱，导带底进一步降低。