[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201710349240.6 | 申请日: | 2017-05-17 |
公开(公告)号: | CN107425077B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 卢鑫泓;王珂;杨维 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示装置。该方法包括:在基板上依次形成层叠的源极和第一绝缘图案,其中,所述第一绝缘图案在所述基板上的正投影位于所述源极在所述基板上的正投影内;在所述基板、露出的所述源极和所述第一绝缘图案上依次形成层叠的有源层、第二绝缘图案和栅极;去除所述有源层上的部分所述栅极和所述第二绝缘图案,露出所述第一绝缘图案上的部分所述有源层;对露出的部分所述有源层进行等离子化处理,形成漏极。本发明实施例将部分有源层进行等离子化处理形成漏极,可减少一次掩膜板的使用,有利于简化制作流程,提升产能;改善欧姆接触较差的问题;有效降低了有源层金属和漏极金属交叠产生的电容。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:在基板上依次形成层叠的源极和第一绝缘图案,其中,所述第一绝缘图案在所述基板上的正投影位于所述源极在所述基板上的正投影内;在所述基板、露出的所述源极和所述第一绝缘图案上依次形成层叠的有源层、第二绝缘图案和栅极;去除所述有源层上的部分所述栅极和所述第二绝缘图案,露出所述第一绝缘图案上的部分所述有源层;对露出的部分所述有源层进行等离子化处理,形成漏极。
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