[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示装置。该方法包括：在基板上依次形成层叠的源极和第一绝缘图案，其中，所述第一绝缘图案在所述基板上的正投影位于所述源极在所述基板上的正投影内；在所述基板、露出的所述源极和所述第一绝缘图案上依次形成层叠的有源层、第二绝缘图案和栅极；去除所述有源层上的部分所述栅极和所述第二绝缘图案，露出所述第一绝缘图案上的部分所述有源层；对露出的部分所述有源层进行等离子化处理，形成漏极。本发明实施例将部分有源层进行等离子化处理形成漏极，可减少一次掩膜板的使用，有利于简化制作流程，提升产能；改善欧姆接触较差的问题；有效降低了有源层金属和漏极金属交叠产生的电容。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置。

背景技术

近年，随着AR/VR显示的爆发式发展，超高PPI(≥1000PPI)背板技术的开发正逐渐成为主流方向之一。氧化物由于其优异的性能和简易的制作工艺，一直是背板的主要材料选择，但是传统的BCE(Back Channel Etch Type，背沟道刻蚀型)结构和Top Gate(顶栅)结构的氧化物TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)的尺寸都相对较大，不适用于超高PPI氧化物阵列基板。而垂直结构的氧化物阵列基板的制备方法制备的TFT的尺寸相比于BCE结构和Top Gate结构的TFT的尺寸大大减小，并获得了较好的TFT特性，使得垂直结构的氧化物TFT在超高PPI背板中具有较好的应用前景。

该垂直结构的氧化物阵列基板的薄膜晶体管的制备方法需要至少4道Mask(掩膜板)制程，即四次构图工艺。具体的，如图1所示，现有的制作方法如下：

(1)在基板101上采用Mask通过第一次构图工艺形成源极102；(2)在源极102上采用Mask通过第二次构图工艺形成第一绝缘图案103；(3)在第一绝缘图案103上采用Mask通过第三次构图工艺形成漏极104；(4)在基板101、源极102和漏极104上采用Mask通过第四次构图工艺形成依次层叠设置的有源层105、第二绝缘图案106和栅极107。

因此，现有方法需要四道Mask制程，即四次构图工艺，使得制作过程较繁琐；并且，通过该方法制作的薄膜晶体管，如图1所示，由于部分有源层105位于漏极104的表面上，漏极104与有源层105会形成层与层搭接的结构，因而产生交叠寄生电容，影响最终的显示效果；此外，一般情况下，由于漏极104和有源层105的材料不同(漏极104为金属，有源层105为氧化物)，导致欧姆接触较差，也会影响显示效果。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置，以解决现有技术的薄膜晶体管的制作过程较繁琐并且制作得到的薄膜晶体管的显示效果较差的问题。

第一方面，提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在基板上依次形成层叠的源极和第一绝缘图案，其中，所述第一绝缘图案在所述基板上的正投影位于所述源极在所述基板上的正投影内；在所述基板、露出的所述源极和所述第一绝缘图案上依次形成层叠的有源层、第二绝缘图案和栅极；去除所述有源层上的部分所述栅极和所述第二绝缘图案，露出所述第一绝缘图案上的部分所述有源层；对露出的部分所述有源层进行等离子化处理，形成漏极。

进一步，所述在基板上依次形成层叠的源极和第一绝缘图案的步骤，包括：在所述基板上形成第一金属层；将所述第一金属层通过第一次构图工艺，形成所述源极；在所述源极上形成硅氧化物层；将所述硅氧化物层通过第二次构图工艺，形成所述第一绝缘图案。

进一步，所述在基板上依次形成层叠的源极和第一绝缘图案的步骤，包括：在所述基板上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成硅氧化物层；在所述硅氧化物层上涂覆第一光刻胶；采用第一掩膜板对所述第一光刻胶进行曝光和显影后，刻蚀所述硅氧化物层和所述第一金属层，形成刻蚀后的所述硅氧化物层和源极；灰化部分所述第一光刻胶，露出部分所述硅氧化物层；将露出的部分所述硅氧化物层去除，形成第一绝缘图案。