[发明专利]薄膜晶体管器件及其制造方法、阵列基板以及显示装置有效
| 申请号： | 201710348312.5 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107425075B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 文亮 | 申请（专利权）人： | 厦门天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 王刚;龚敏 |
| 地址： | 361101 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种薄膜晶体管器件及其制造方法、阵列基板以及显示装置。其中，本发明实施例中的薄膜晶体管器件中包括：衬底基板；栅极金属层；源漏金属层，包括源极以及漏极；有源层，包括第一有源层以及第二有源层；在衬底基板的同一侧沿远离衬底基板的方向设置有第一有源层、第二有源层以及栅极金属层，且第一有源层靠近栅极金属层；第一有源层与第二有源层连接，且在垂直于衬底基板所在平面的方向上，第一有源层在衬底基板上的垂直投影位于第二有源层在衬底基板上的垂直投影内；源极以及漏极均与第二有源层电连接。本发明的技术方案使得开启电流与关闭电流的比值达到10 |
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| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 器件 及其 制造 方法 阵列 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管器件，其特征在于，包括：衬底基板；栅极金属层；源漏金属层，包括源极以及漏极；有源层，包括第一有源层以及第二有源层；在所述衬底基板的同一侧沿远离所述衬底基板的方向设置有所述第一有源层、所述第二有源层以及所述栅极金属层，且所述第一有源层靠近所述栅极金属层；所述第一有源层与所述第二有源层连接，且在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一有源层在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第二有源层在所述衬底基板上的垂直投影内；所述源极以及所述漏极均与所述第二有源层电连接，所述第一有源层为多晶硅材料；所述第一有源层的电子迁移率高于所述第二有源层的电子迁移率。
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