[发明专利]薄膜晶体管器件及其制造方法、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管器件，其特征在于，包括：

衬底基板；

栅极金属层；

源漏金属层，包括源极以及漏极；

有源层，包括第一有源层以及第二有源层；

在所述衬底基板的同一侧沿远离所述衬底基板的方向设置有所述第一有源层、所述第二有源层以及所述栅极金属层，且所述第一有源层靠近所述栅极金属层；

所述第一有源层与所述第二有源层连接，且在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一有源层在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第二有源层在所述衬底基板上的垂直投影内；

所述源极以及所述漏极均与所述第二有源层电连接，所述第一有源层为多晶硅材料；

所述第一有源层的电子迁移率高于所述第二有源层的电子迁移率；

在所述衬底基板的同一侧沿远离所述衬底基板的方向依次设置有所述第二有源层、所述第一有源层以及所述栅极金属层；

所述第一有源层与所述第二有源层之间设置有第一绝缘层；

在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一绝缘层在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一有源层在所述衬底基板上的垂直投影内。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述第一有源层包括：第一源极区域、第一沟道区域以及第一漏极区域；

所述栅极金属层中包含第一栅极；

在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一栅极在所述第一有源层上的投影区域为所述第一沟道区域；

所述第一沟道区域设置在所述第一源极区域与所述第一漏极区域之间，且所述第一沟道区域均未与所述第一源极区域以及所述第一漏极区域连接；

所述源极连接所述第一源极区域；

所述漏极连接所述第一漏极区域。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述第二有源层为氧化物半导体层材料。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述第二有源层的方阻小于或者等于13KΩ/□。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括：如权利要求1～4中任一项所述的薄膜晶体管器件；

缓冲层；

其中，所述缓冲层设置在所述衬底基板与所述第二有源层之间。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：遮光层；

所述遮光层设置在所述衬底基板与所述缓冲层之间。

7.根据权利要求5或6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：像素电极、公共电极以及第二绝缘层；

所述像素电极与所述源极或者所述漏极电连接；

所述像素电极与所述公共电极之间设置有所述第二绝缘层。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5～7中任一项所述的阵列基板。