[发明专利]薄膜晶体管器件及其制造方法、阵列基板以及显示装置

说明书

本发明提出了一种薄膜晶体管器件及其制造方法、阵列基板以及显示装置。其中，本发明实施例中的薄膜晶体管器件中包括：衬底基板；栅极金属层；源漏金属层，包括源极以及漏极；有源层，包括第一有源层以及第二有源层；在衬底基板的同一侧沿远离衬底基板的方向设置有第一有源层、第二有源层以及栅极金属层，且第一有源层靠近栅极金属层；第一有源层与第二有源层连接，且在垂直于衬底基板所在平面的方向上，第一有源层在衬底基板上的垂直投影位于第二有源层在衬底基板上的垂直投影内；源极以及漏极均与第二有源层电连接。本发明的技术方案使得开启电流与关闭电流的比值达到10^‑10量级，实现了降低TFT器件漏流的效果。

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及薄膜晶体管器件及其制造方法、阵列基板以及显示装置。

【背景技术】

现有技术中的显示装置至少可以包括两种类型,一种是液晶显示装置,一种是有机发光显示装置。在显示装置中，TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件是起到控制作用的关键器件，其可以用来控制像素电极、触控电极、公共电极等。根据制作TFT器件的材料，可以将TFT器件分为低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)类型、非晶硅类型等。

其中，在制作LTPS类型的TFT器件时，使用轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain，LDD)结构来防止热电子退化效应，具体地，在沟道区域靠近漏极的附近使用磷离子注入的方式形成一个轻掺杂区域，并让该轻掺杂区域也可以承受一部分电压。通常采用轻掺杂区域的方式形成LDD区域来抑制漏电流，这种方法所形成的区域对于光照和温度极为敏感，在受到光照时，薄膜晶体管的漏电流会急剧增加。

由于受到制作轻掺杂区域磷离剂量范围的影响，使得TFT器件的电流漏流难以控制到10^-12A量级范围。特别地，当轻掺杂区域在受到光照情况下，漏流将上升10倍以上，因此，如何降低TFT器件的漏流是一个亟待解决的问题。

【发明内容】

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管器件及其制造方法、阵列基板以及显示装置，实现了改善薄膜晶体管的开关特性。

第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管器件，包括：

衬底基板；

栅极金属层；

源漏金属层，包括源极以及漏极；

有源层，包括第一有源层以及第二有源层；

在所述衬底基板的同一侧沿远离所述衬底基板的方向设置有所述第一有源层、所述第二有源层以及所述栅极金属层，且所述第一有源层靠近所述栅极金属层；

所述第一有源层与所述第二有源层连接，且在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一有源层在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第二有源层在所述衬底基板上的垂直投影内；

所述源极以及所述漏极均与所述第二有源层电连接，所述第一有源层为多晶硅材料；

所述第一有源层的电子迁移率高于所述第二有源层的电子迁移率。

第二方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：上述的薄膜晶体管器件；

缓冲层；

其中，所述缓冲层设置在所述衬底基板与所述第二有源层之间。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

第四方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管器件的制造方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成栅极金属层；