[发明专利]一种纵向结构LED及其制备工艺有效
| 申请号： | 201710348302.1 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107221583B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 福建海佳彩亮光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H01L33/34 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 362400 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纵向结构LED及其制备工艺，其中，包括：选取Si衬底；在Si衬底表面生长Si外延层；利用CVD工艺在Si衬底表面连续生长Ge籽晶层、Ge主体层和氧化层；利用LRC工艺晶化Si衬底、Si外延层、Ge籽晶层、Ge主体层及氧化层的整个衬底材料；利用干法刻蚀工艺刻蚀氧化层，在晶化后的Ge主体层表面生长Ge外延层；在Ge外延层淀积P型Ge层；制作金属接触电极以完成纵向结构LED的制备；本发明基于LRC工艺条件下Si衬底与Ge外延层界面特性好的优势，利用n++‑Si/张应变Ge/p+‑Ge纵向结构，可解决现有常规工艺水平下Ge外延层N型掺杂浓度低导致的器件性能退化问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纵向 结构 led 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种纵向结构LED的制备工艺，其特征在于，包括：(a)选取N型单晶Si衬底；(b)在所述Si衬底表面生长N型Si外延层形成n++‑Si结构；(c)利用CVD工艺在所述Si外延层表面连续生长Ge籽晶层、Ge主体层和氧化层；所述氧化层的材料为SiO2；(d)利用LRC工艺晶化包括所述Si衬底、所述Si外延层、所述Ge籽晶层、所述Ge主体层及所述氧化层的整个衬底材料；(e)利用干法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层，在晶化后的所述Ge主体层表面生长Ge外延层形成张应变Ge结构；(f)在所述Ge外延层上生长P型Ge层形成p+‑Ge结构；(g)制作金属接触电极以完成所述n++‑Si/张应变Ge/p+‑Ge纵向结构LED的制备。
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