[发明专利]二维纳米物质的处理装置及其方法有效
| 申请号： | 201710348246.1 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107622961B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李宽珩;李钟荣;郑在桓 | 申请（专利权）人： | 延世大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065;H01L21/465;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 韩国首尔西大门区*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用二维纳米物质的半导体器件的制造装置及方法。根据本发明的实施例，本发明提供半导体器件的制造装置，上述半导体器件的制造装置包括：控制模块，根据二维纳米物质的多个特性中欲改变的至少一个特性，从多种等离子体处理的方式中选择对应的等离子体处理，并确定与所选择的等离子体处理相对应的可变频率；供电模块，根据上述控制模块的控制，供给具有上述可变频率的电力；以及等离子体处理模块，通过根据具有上述可变频率的电力生成的等离子体来改变上述二维纳米物质的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 纳米 物质 处理 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造装置，其特征在于，包括：控制模块，根据二维纳米物质的多个特性中欲改变的至少一个特性，从多种等离子体处理的方式中选择对应的等离子体处理，并确定与所选择的等离子体处理相对应的可变频率；供电模块，根据所述控制模块的控制，供给具有所述可变频率的电力；以及等离子体处理模块，通过根据具有所述可变频率的电力生成的等离子体来改变所述二维纳米物质的特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
