[发明专利]二维纳米物质的处理装置及其方法

权利要求书

1.一种二维纳米物质的处理装置，其特征在于，包括：

控制模块，根据二维纳米物质的多个特性中欲改变的至少一个特性，从多种等离子体处理的方式中选择对应的等离子体处理，并确定与所选择的等离子体处理相对应的可变频率，所述的可变频率在10kHz至100kHz的范围；

供电模块，根据所述控制模块的控制，供给具有所述确定的可变频率的电力；以及

等离子体处理模块，通过根据具有所述确定的可变频率的电力产生等离子体，根据所述确定的可变频率对所述的二维纳米物质执行所述的等离子体处理，其中所述的等离子体处理为利用等离子体的蚀刻、利用等离子体的不纯物注入、利用等离子体的缺陷生成、利用等离子体的表面整理中的一种，

其中，所述二维纳米物质的处理装置系配置以透过所述等离子体处理模块，对所述的二维纳米物质执行所有所述的蚀刻、不纯物注入、缺陷生成、表面整理，以及

其中，所述二维纳米物质的处理装置系配置以透过在所述等离子体处理模块中控制所述选择的等离子体处理的可变频率、气体流量、等离子体产生功率(W)及等离子体产生时间，以对所述的二维纳米物质执行所述的蚀刻、不纯物注入、缺陷生成、表面整理中的一种。

2.根据权利要求1所述的二维纳米物质的处理装置，其特征在于，所述供电模块包括：

整流部，用于将第一交流信号转换为直流信号；

开关部，用于将经转换的所述直流信号生成为脉冲信号；以及

升压部，用于将所述脉冲信号升压成第二交流信号。

3.根据权利要求2所述的二维纳米物质的处理装置，其特征在于，

所述第二交流信号的电压大于所述第一交流信号的电压，

所述第二交流信号的频率和与所述所选择的等离子体处理相对应的所述可变频率一致。

4.根据权利要求2所述的二维纳米物质的处理装置，其特征在于，所述开关部包括至少一个场效应晶体管。

5.根据权利要求2所述的二维纳米物质的处理装置，其特征在于，

所述升压部包括用于将直流信号转换为交流信号的变压器，

所述变压器的匝比为1:5或1:8。

6.根据权利要求2所述的二维纳米物质的处理装置，其特征在于，

所述供电模块还包括：

电流检测部，用于测定所述脉冲信号的电流值；

电流监控部，用于监控在所述电流检测部检测的电流；

反馈部，基于所述电流监控部监控的结果来控制脉冲宽度；以及

开关控制部，根据通过所述反馈部控制的脉冲宽度产生脉冲宽度调制信号，

所述脉冲宽度调制信号为用于生成所述开关部的所述脉冲信号的开关控制信号。

7.根据权利要求1所述的二维纳米物质的处理装置，其特征在于，还包括：

输入模块，

其中，所述输入模块提供用户接口，用于根据所述二维纳米物质的多个特性中欲改变的至少一个特性，从所述多种等离子体处理的方式中选择一种等离子体处理。

8.根据权利要求1所述的二维纳米物质的处理装置，其特征在于，所述二维纳米物质包含石墨烯、硅烯、黑磷、硼墨烯、金属硫族化合物类物质、金属氧化物中的一种至多种。