[发明专利]一种芯片封装前的预处理方法有效

专利信息
申请号: 201710345190.4 申请日: 2017-05-16
公开(公告)号: CN106952872B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 方海生;罗显刚;马千里 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/56
代理公司: 42201 华中科技大学专利中心 代理人: 梁鹏;曹葆青<国际申请>=<国际公布>=
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于芯片封装领域,并公开了一种芯片封装前的预处理方法。其包括:(a)将待处理芯片划分为多个核心功能区,分别且同时加热各个核心功能区,使得各个核心功能区内部形成均匀的热应力;(b)将核心功能区从待处理芯片上分离得到所需待封装的部分,分离过程使得该部分的热应力得以释放,由此完成该待处理芯片封装前的预处理。通过本发明,有效控制芯片切割工艺产生的微裂纹以及其他影响芯片性能的晶体缺陷,提高芯片功能核心区的质量,显著提高芯片成品率和使用性能,降低生产成本。
搜索关键词: 一种 芯片 封装 预处理 方法
【主权项】:
1.一种芯片封装前的预处理方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:/n(a)将待处理芯片划分为多个核心功能区,分别且同时加热各个所述核心功能区,使得各个所述核心功能区内部形成均匀的热应力,并在所述核心功能区形成一致温度的高温载荷,其与未施加温度载荷的区域形成温度梯度,该温度梯度形成的局部高热流密度在所述未施加温度载荷的区域形成恶劣的热应力环境;/n(b)将所述核心功能区从所述待处理芯片上分离得到所需待封装的部分,分离过程中所述未施加温度载荷的区域在外力载荷作用下通过产生缺陷的形式使得该部分的热应力得以释放,进而使得所述核心功能区域处于弛豫状态,保证其质量,由此完成该待处理芯片封装前的预处理。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710345190.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top