[发明专利]一种芯片封装前的预处理方法有效
| 申请号： | 201710345190.4 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN106952872B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 方海生;罗显刚;马千里 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/56 |
| 代理公司： | 42201 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 梁鹏;曹葆青<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 预处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片封装前的预处理方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：
(a)将待处理芯片划分为多个核心功能区，分别且同时加热各个所述核心功能区，使得各个所述核心功能区内部形成均匀的热应力，并在所述核心功能区形成一致温度的高温载荷，其与未施加温度载荷的区域形成温度梯度，该温度梯度形成的局部高热流密度在所述未施加温度载荷的区域形成恶劣的热应力环境；
(b)将所述核心功能区从所述待处理芯片上分离得到所需待封装的部分，分离过程中所述未施加温度载荷的区域在外力载荷作用下通过产生缺陷的形式使得该部分的热应力得以释放，进而使得所述核心功能区域处于弛豫状态，保证其质量，由此完成该待处理芯片封装前的预处理。
2.如权利要求1所述的预处理方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述待处理芯片采用氮化镓芯片。
3.如权利要求1或2所述的预处理方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述加热采用在钨卤灯加热炉腔体内进行。
4.如权利要求1所述的预处理方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述加热的加热温度范围采用700℃～1000℃，加热时间采用30min～1h。
5.如权利要求1所述的预处理方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述分离过程沿相邻所述核心功能区之间的中线切割。
6.如权利要求1所述的预处理方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述分离采用金刚石刀具切割或辐射能量切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
