[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法，首先在金属箔片上形成石墨烯半导体有源层，然后在石墨烯半导体有源层上依次形成无机物绝缘层和有机基底，通过上下翻转，使所述金属箔片位于最上层，再在所述金属箔片上经图案化工艺形成光阻层，对所述金属箔片进行蚀刻，得到源极和漏极，再然后在光阻层及石墨烯半导体有源层上依次形成有机绝缘层和栅极导电层，最后通过光阻剥离液去除光阻层并带离其上的有机绝缘层和栅极导电层，得到图形化的栅极绝缘层和栅极；该制作方法通过上下翻转的方式，将用于沉积石墨烯薄膜的金属箔片再次利用为制作源漏极的电极材料，从而达到降低成本和简化工艺的作用，并通过剥离工艺，只需一道光罩便可得到图形化源极、漏极和栅极。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1、提供金属箔片(100’)，在所述金属箔片(100’)上沉积石墨烯薄膜，通过改变石墨烯带隙的方法得到石墨烯半导体有源层(200)；/n步骤S2、在所述石墨烯半导体有源层(200)上沉积形成无机物绝缘层(300)；/n步骤S3、在所述无机物绝缘层(300)上形成有机基底(400)，得到初级结构；/n步骤S4、将所述步骤S3得到的初级结构上下翻转，使有机基底(400)位于最下层，使金属箔片(100’)位于最上层，在所述金属箔片(100’)上利用一道光罩经图案化工艺形成光阻层(500)；/n步骤S5、以所述光阻层(500)为遮蔽层，对所述金属箔片(100’)进行蚀刻，得到间隔的源极(110)和漏极(120)；/n步骤S6、在所述光阻层(500)及石墨烯半导体有源层(200)上形成有机绝缘层(600’)，在所述有机绝缘层(600’)上沉积形成栅极导电层(700’)；/n步骤S7、通过光阻剥离液去除光阻层(500)，同时通过光阻层(500)带离光阻层(500)上的有机绝缘层(600’)和栅极导电层(700’)，由剩余的有机绝缘层(600’)得到位于石墨烯半导体有源层(200)上且位于源极(110)和漏极(120)之间的栅极绝缘层(600)，由剩余的栅极导电层(700’)得到位于所述栅极绝缘层(600)上的栅极(700)。/n