[发明专利]TFT基板的制作方法

说明书

本发明提供一种TFT基板的制作方法，首先在金属箔片上形成石墨烯半导体有源层，然后在石墨烯半导体有源层上依次形成无机物绝缘层和有机基底，通过上下翻转，使所述金属箔片位于最上层，再在所述金属箔片上经图案化工艺形成光阻层，对所述金属箔片进行蚀刻，得到源极和漏极，再然后在光阻层及石墨烯半导体有源层上依次形成有机绝缘层和栅极导电层，最后通过光阻剥离液去除光阻层并带离其上的有机绝缘层和栅极导电层，得到图形化的栅极绝缘层和栅极；该制作方法通过上下翻转的方式，将用于沉积石墨烯薄膜的金属箔片再次利用为制作源漏极的电极材料，从而达到降低成本和简化工艺的作用，并通过剥离工艺，只需一道光罩便可得到图形化源极、漏极和栅极。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法。

背景技术

在有源矩阵显示技术中，每一个像素点都由集成在其后的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)进行驱动，从而可以实现高速度、高亮度、高对比度的屏幕显示效果。常见的TFT通常由栅极/源极/漏极(Gate/Source/Drain)三电极、绝缘层以及半导体层构成。

石墨烯，作为目前已知世界上最薄、最坚硬的纳米材料，因其具有良好的导电调控性，机械特性，导热特性，从而成为当前研究热点之一。石墨烯作为一种极薄导电率极高的新型材料，具有很大潜能被应用到电子元件/晶体管中。根据报道，石墨烯薄膜具有极低的方块电阻(<100Ω/□)，然而经过掺杂之后，又可以形成宽带系的二维绝缘材料，因而石墨烯经过一定处理后，可形成n型或p型半导体的特性，可被应用到显示行业的TFT器件中。然而目前对于大面积制备石墨烯，较常用且得到的石墨烯性能较好的技术主要为化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)，利用该方法制作TFT器件的过程主要为，首先在金属基底如铜/镍上通过CVD法沉积石墨烯，再蚀刻掉金属基底得到石墨烯薄膜，再将该石墨烯薄膜通过卷对卷(Roll to Roll)或其他方式转移至已沉积所需薄膜的基底上，从而组装成TFT器件，该方法具有周期长，工艺复杂，且金属基底耗费大成本高的等缺点。

故，对于含石墨烯的TFT基板，开发一种工艺简单且成本低的制备方法具有重要意义。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，能够降低生产成本、简化工艺、减少光罩制程。

为实现上述目的，本发明一种TFT基板的制作方法，包括以下步骤：

步骤S1、提供金属箔片，在所述金属箔片上沉积石墨烯薄膜，通过改变石墨烯带隙的方法得到石墨烯半导体有源层；

步骤S2、在所述石墨烯半导体有源层上沉积形成无机物绝缘层；

步骤S3、在所述无机物绝缘层上形成有机基底，得到初级结构；

步骤S4、将所述步骤S3得到的初级结构上下翻转，使有机基底位于最下层，使金属箔片位于最上层，在所述金属箔片上利用一道光罩经图案化工艺形成光阻层；

步骤S5、以所述光阻层为遮蔽层，对所述金属箔片进行蚀刻，得到间隔的源极和漏极；

步骤S6、在所述光阻层及石墨烯半导体有源层上形成有机绝缘层，在所述有机绝缘层上沉积形成栅极导电层；

步骤S7、通过光阻剥离液去除光阻层，同时通过光阻层带离光阻层上的有机绝缘层和栅极导电层，由剩余的有机绝缘层得到位于石墨烯半导体有源层上且位于源极与漏极之间的栅极绝缘层，由剩余的栅极导电层得到位于所述栅极绝缘层上的栅极。

所述金属箔片的材料为铜、或镍。

所述步骤S1中，所述改变石墨烯带隙的方法为化学掺杂法，具体为，在沉积石墨烯薄膜的同时对其进行化学掺杂，所沉积的石墨烯薄膜为掺杂的石墨烯薄膜，从而得到石墨烯半导体有源层；或者，