[发明专利]TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供金属箔片(100’)，在所述金属箔片(100’)上沉积石墨烯薄膜，通过改变石墨烯带隙的方法得到石墨烯半导体有源层(200)；

步骤S2、在所述石墨烯半导体有源层(200)上沉积形成无机物绝缘层(300)；

步骤S3、在所述无机物绝缘层(300)上形成有机基底(400)，得到初级结构；

步骤S4、将所述步骤S3得到的初级结构上下翻转，使有机基底(400)位于最下层，使金属箔片(100’)位于最上层，在所述金属箔片(100’)上利用一道光罩经图案化工艺形成光阻层(500)；

步骤S5、以所述光阻层(500)为遮蔽层，对所述金属箔片(100’)进行蚀刻，得到间隔的源极(110)和漏极(120)；

步骤S6、在所述光阻层(500)及石墨烯半导体有源层(200)上形成有机绝缘层(600’)，在所述有机绝缘层(600’)上沉积形成栅极导电层(700’)；

步骤S7、通过光阻剥离液去除光阻层(500)，同时通过光阻层(500)带离光阻层(500)上的有机绝缘层(600’)和栅极导电层(700’)，由剩余的有机绝缘层(600’)得到位于石墨烯半导体有源层(200)上且位于源极(110)和漏极(120)之间的栅极绝缘层(600)，由剩余的栅极导电层(700’)得到位于所述栅极绝缘层(600)上的栅极(700)。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述金属箔片(100’)的材料为铜、或镍。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述改变石墨烯带隙的方法为化学掺杂法，具体为，在沉积石墨烯薄膜的同时对其进行化学掺杂，所沉积的石墨烯薄膜为掺杂的石墨烯薄膜，从而得到石墨烯半导体有源层(200)；或者，

所述改变石墨烯带隙的方法为光刻法，具体为，在沉积石墨烯薄膜后，将石墨烯薄膜切割成带状，成为石墨烯纳米带，从而得到石墨烯半导体有源层(200)。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，通过等离子增强化学气相沉积法沉积所述石墨烯薄膜，所沉积的石墨烯薄膜为单层石墨烯薄膜；所述石墨烯半导体有源层(200)的带隙值大于0.1eV。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，通过化学气相沉积法沉积形成无机物绝缘层(300)，所述无机物绝缘层(300)的材料为氮化硅、氧化硅、三氧化二钇、或二氧化铪。

6.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述有机基底(400)通过溶液涂布及固化形成，所述有机基底(400)的材料为聚二甲基硅氧烷。

7.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，通过湿蚀刻工艺对所述金属箔片(100’)进行蚀刻。

8.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S6中，通过涂布工艺形成有机绝缘层(600’)，所述有机绝缘层(600’)的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。

9.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S6中，通过物理气相沉积法沉积形成栅极导电层(700’)，所述栅极导电层(700’)的材料为铝、铜、或氧化铟锡。

10.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，还包括步骤S8、提供加强基底(800)，使有机基底(400)融化后再贴附到加强基底(800)上；

所述加强基底(800)为玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯塑料、或硅片。