[发明专利]硅基光电探测器及其制作方法

摘要

本发明提供一种硅基光电探测器及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一衬底，于所述衬底表面制作出叉指型金属电极；2）于所述叉指型金属电极之上覆盖多晶硅层，并使得所述多晶硅层与所述叉指型金属电极形成肖特基接触；3）刻蚀所述多晶硅层，以形成露出叉指型金属电极的接触点的接触窗；4）基于所述接触窗制作接触点引出的金属焊盘。本发明采用多晶硅作为光敏层，而多晶硅置于叉指型金属电极之上，不会受限于金属电极对入射光的遮挡，从而显著提高了光电探测的量子效率。本发明制作工艺无需掺杂，大大简化了生产工艺及制造成本。本发明采用单面制作工艺，所制作的硅基光电探测器为平面型器件，具有电容小，响应速度快的优点。

主权项

1.一种硅基光电探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：步骤1)，提供一衬底，于所述衬底表面制作出叉指型金属电极；步骤2)，于所述叉指型金属电极之上覆盖多晶硅层，并使得所述多晶硅层与所述叉指型金属电极形成肖特基接触；步骤3)，刻蚀所述多晶硅层，以形成露出叉指型金属电极的接触点的接触窗；步骤4)，基于所述接触窗制作接触点引出的金属焊盘。