[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法，方法包括：提供衬底基板，在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源/漏极及绝缘层；在绝缘层上涂布光阻层；对光阻层进行曝光，使光阻层图案化，在欲形成像素电极的对应位置暴露绝缘层，并且形成分布在暴露的绝缘层周缘的第一光阻区域及分布在第一光阻区域外围的第二光阻区域，第一光阻区域光阻层的厚度小于第二光阻区域光阻层的厚度；通过蚀刻制程移除暴露的绝缘层，形成过孔，暴露出漏极，第一光阻区域对应过孔上方边缘；对光阻层进行灰化处理，去除第一光阻区域，暴露出过孔侧壁，保留部分第二光阻区域；在过孔中形成像素电极，像素电极覆盖过孔侧壁，形成薄膜晶体管阵列基板。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底基板，在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源/漏极及绝缘层；在所述绝缘层上涂布光阻层；对该光阻层进行曝光，使该光阻层图案化，在欲形成像素电极的对应位置暴露出绝缘层，并且形成分布在暴露的绝缘层周缘的第一光阻区域及分布在第一光阻区域外围的第二光阻区域，所述第一光阻区域的光阻层的厚度小于所述第二光阻区域的光阻层的厚度；通过蚀刻制程移除暴露的绝缘层，形成过孔，暴露出漏极，所述第一光阻区域对应过孔上方边缘；对光阻层进行灰化处理，去除所述第一光阻区域，暴露出所述过孔侧壁，保留部分第二光阻区域；在所述过孔中形成像素电极，所述像素电极覆盖所述过孔侧壁，形成薄膜晶体管阵列基板。