[发明专利]半导体器件、电能测量仪器和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710333168.8 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107452708B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 内田慎一;田中敬一郎;藏本贵文 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;G01R22/10;G01R15/18 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件、电能测量仪器和半导体器件的制造方法。根据一个实施例，半导体器件包括Si衬底、形成在设置于Si衬底之上的布线层中的电感器和形成为围绕电感器的屏蔽件，其中屏蔽件包括在布线层中的其中形成电感器的层和该层之上的层中形成的金属以及在Si衬底和Si衬底之上的布线层之间形成的硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电能 测量 仪器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；电感器，形成在布置于所述衬底之上的布线层中；和屏蔽件，形成为围绕所述电感器，其中所述屏蔽件包括：第一金属，形成在所述布线层中的其中形成所述电感器的层和在所述层之上的层中；和硅化物，形成在所述衬底和所述衬底之上的所述布线层之间。
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