[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710326217.5 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107134514B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 刘华容;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，多量子阱层包括依次层叠在N型氮化镓层上的多个第一子层，每个第一子层包括量子阱层和设置在量子阱层上的量子垒层，量子阱层为铟镓氮层，电子阻挡层包括依次层叠在多量子阱层上的多个第二子层，每个第二子层包括依次层叠的高温阻挡层、能带调制层和低温提供层，高温阻挡层为铝镓氮层，能带调制层为铟镓氮层，能带调制层中铟组分的含量低于量子阱层中铟组分的含量，低温提供层为P型掺杂的氮化镓层。本发明可以增加注入多量子阱层复合发光的空穴数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述多量子阱层包括依次层叠在所述N型氮化镓层上的多个第一子层，每个所述第一子层包括量子阱层和设置在所述量子阱层上的量子垒层，所述量子阱层为铟镓氮层，其特征在于，所述电子阻挡层包括依次层叠在所述多量子阱层上的多个第二子层，每个所述第二子层包括依次层叠的高温阻挡层、能带调制层和低温提供层，所述高温阻挡层为铝镓氮层，所述能带调制层为铟镓氮层，所述能带调制层中铟组分的含量低于所述量子阱层中铟组分的含量，所述低温提供层为P型掺杂的氮化镓层；其中，在同一个所述第二子层中，所述高温阻挡层的生长温度比所述低温提供层的生长温度高，且所述高温阻挡层的生长温度与所述低温提供层的生长温度之差大于或等于50℃，所述能带调制层的生长温度在所述高温阻挡层的生长温度和所述低温提供层的生长温度之间。
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