[发明专利]金属自容触控基板的过孔刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710322780.5 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107154405B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 喻志农;郭建;蒋玉蓉;薛唯 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 仇蕾安;杨志兵 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了金属自容触控基板的过孔刻蚀方法，在不增加额外工艺过程的前提下，通过变更掩膜结构或者变更TFT(薄膜场效应晶体管)结构，改善金属自容触控基板触控过孔搭接不良的问题。方案一是通过改变掩膜板的结构，即在掩膜版上用于加工触控过孔的图形与触控绑定金属之间设置设定厚度的光刻胶，使栅线过孔和触控过孔同时被刻蚀成型，从而避免两种类型过孔过大的厚度差异会造成过孔成型不良。另一种方案是通过在触控绑定金属底层放置数据线金属缓冲层，改善现有触控过孔过刻导致搭接不良的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 触控 触控基板 刻蚀 金属 绑定 搭接 成型 薄膜场效应晶体管 变更 金属缓冲层 工艺过程 厚度差异 金属底层 掩膜结构 光刻胶 数据线 掩膜板 掩膜版 栅线 加工 | ||
【主权项】：
1.金属自容触控基板的过孔刻蚀方法，所述金属自容触控基板上的过孔包括栅线过孔(13)和触控过孔(14)；所述栅线过孔(13)要刻蚀的膜层为栅绝缘层(4)、第一绝缘层(7)和第二绝缘层(10)，所述触控过孔(14)要刻蚀的膜层为第二绝缘层(10)；其特征在于：掩膜版(16)上用于加工栅线过孔(13)的图形采用100％透光；在掩膜版(16)上用于加工触控过孔(14)的图形内部设置有设定厚度的光刻胶，所述光刻胶的厚度满足在相同刻蚀速度的前提下，所述栅线过孔(13)和触控过孔(14)同时刻蚀成型；所述掩膜版(16)采用灰阶掩膜版。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
