[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法在审
| 申请号： | 201710322532.0 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107275448A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘华容;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的u‑GaN层、n型层、发光层、电子阻挡层和p型层，电子阻挡层包括高温子层和低温子层，高温子层为AlxGa1‑xN层或InAlxGa1‑xN层，低温子层为p‑GaN层，高温子层的生长温度高于低温子层的生长温度，低温子层的掺杂元素为Mg，在生长高温子层时，会进行一次加热，在完成一层高温子层的生长后又会进行一次降温，该过程相当于对低温子层进行退火，低温子层经过多次退火，有利于提高低温子层中Mg的激活率，可以通过低温子层提供一定数量的空穴，使得总的空穴浓度得到提升，从而提高了LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次层叠在所述衬底上的u‑GaN层、n型层、发光层、电子阻挡层和p型层，所述电子阻挡层包括交替层叠设置的至少2层高温子层和至少2层低温子层，所述高温子层为AlxGa1‑xN层或InAlxGa1‑xN层，所述低温子层为p‑GaN层，所述高温子层的生长温度高于所述低温子层的生长温度，所述低温子层的掺杂元素为Mg，其中，0＜x＜1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电股份有限公司，未经华灿光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710322532.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：黑硅太阳能电池及其制备方法
- 下一篇：一种发光二极管的外延片及制备方法
