[发明专利]一种发光二极管的外延片及制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次层叠在所述衬底上的u-GaN层、n型层、发光层、电子阻挡层和p型层，所述电子阻挡层包括交替层叠设置的至少2层高温子层和至少2层低温子层，所述高温子层为Al_xGa_1-xN层或InAl_xGa_1-xN层，所述低温子层为p-GaN层，所述高温子层的生长温度高于所述低温子层的生长温度，所述低温子层的掺杂元素为Mg，其中，0＜x＜1。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，每层所述高温子层的厚度为2～20nm。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，每层所述低温子层的厚度为2～20nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，任意相邻的所述高温子层中的Al组分含量相同或不同。

5.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，0＜x＜0.3。

6.根据权利要求1～3任一项所述的外延片，其特征在于，所述外延片还包括p型接触层，所述p型接触层设置在所述p型层的远离所述电子阻挡层的一侧。

7.一种外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次外延生长u-GaN层、n型层、发光层、电子阻挡层和p型层，所述电子阻挡层包括交替层叠设置的至少2层高温子层和至少2层低温子层，所述高温子层为Al_xGa_1-xN层或InAl_xGa_1-xN层，所述低温子层为p-GaN层，所述高温子层的生长温度高于所述低温子层的生长温度，所述低温子层的掺杂元素为Mg，其中，0＜x＜1。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述高温子层的生长温度为800～1100℃。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述低温子层的生长温度为700～1000℃。

10.根据权利要求7～9任一项所述的制备方法，其特征在于，任意一层所述高温子层的生长温度比任意一层所述低温子层的生长温度高至少50℃。