[发明专利]一种半导体元器件的缺陷检测方法在审
申请号: | 201710318807.3 | 申请日: | 2017-05-08 |
公开(公告)号: | CN106935528A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 彭勇 | 申请(专利权)人: | 合肥市华达半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 230000 安徽省合肥市高新区望江西路86*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体元器件的缺陷检测方法,包括以下步骤提供待检测半导体,并确定待检测缺陷及缺陷分布状况;对半导体进行检测区域的划分;对检测区域设置检测参数;采集半导体缺陷上的斑点;采集检测区域内的图像信息导入至工作台视窗系统,形成工作台视窗图像;通过图像边缘反差化工艺对半导体的斑点图像和工作台视窗图像进行处理;将边缘反差化斑点图像和边缘反差化工作台视窗图像进行匹配,进而确定缺陷位置以及缺陷周边的结构样貌;将缺陷周围的结构样貌信息导入扫描电子显微镜下得到缺陷的准确位置。本发明采用该种方法对半导体的缺陷进行检测,具有检测速度快、准确性高、全面性及合格率高的特点,大大降低了人员的劳动力和成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 元器件 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体元器件的缺陷检测方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:提供待检测半导体,并确定待检测半导体上的待检测缺陷;S2:确定待检测缺陷在待检测半导体上的分布状况;S3:在待检测半导体上至少包括一个检测区域;S4:分别对检测区域设置检测参数;S5:采用扫描机台对半导体缺陷上的斑点进行采集,采集的斑点图像信息是半导体组成的整体图像信息;S6:将一检测区域的图像信息导入至工作台视窗系统,并由工作台视窗系统呈现出邻近结构性光罩的叠层图,以形成工作台视窗图像;S7:通过图像边缘反差化工艺对半导体的斑点图像和工作台视窗图像进行处理,以获得边缘反差化斑点图像和边缘反差化工作台视窗图像;S8:将边缘反差化斑点图像和边缘反差化工作台视窗图像进行匹配,进而在不同区域内找到缺陷位置以及对缺陷周边的结构样貌进行确定;S9:将缺陷周围的结构样貌信息导入扫描电子显微镜下,扫描电子显微镜将其拍摄的半导体缺陷图像和通过导入的周边结构样貌之信息进行匹配,获得匹配系数越高,则扫描的缺陷位置越准确;S10:依次将其他检测区域的图像信息导入工作台视窗系统,以形成相应的工作台视窗图像,并重复步骤S7~S9,直至得到其他检测区域内的缺陷位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造