[发明专利]利于填充的通孔制作方法

摘要

本发明提供一种利于填充的通孔制作方法，在半导体器件表面依次沉积蚀刻停止层、内层介电层、抗反射层，并将抗反射层、内层介电层以及部分蚀刻停止层刻蚀出第一通孔；将第一通孔的底部刻蚀至二氧化硅层，形成第二通孔；在第二通孔内填充抗反射材料；光刻出口径大于第二通孔的第三通孔；将第三通孔底部刻蚀至半导体器件的二氧化硅层形成第四通孔，去除第四通孔内剩余的抗反射材料，形成第五通孔；继续刻蚀第五通孔。本发明提供的通孔制作方法将上部通孔关键尺寸做大进而形成较大敞口的通孔形貌，从而降低深宽比对后续工艺带来的负面影响，进而降低后续金属钨对通孔填充难度，增大了后续工艺窗口。

主权项

一种利于填充的通孔制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一个半导体器件，在其表面依次沉积蚀刻停止层、内层介电层、抗反射层，并将所述抗反射层、内层介电层以及部分蚀刻停止层刻蚀出第一通孔；步骤二：对步骤一形成的结构进行刻蚀，将所述第一通孔的底部刻蚀至二氧化硅层，形成第二通孔；步骤三：对步骤二形成的结构沉积抗反射材料，使得所述第二通孔内填充抗反射材料；步骤四：在步骤三形成结构上沉积第一光阻，并将第一光阻上原第二通孔对应之处显影出第三通孔，第三通孔的口径大于所述第二通孔的口径；步骤五：对所述步骤四形成的结构进行刻蚀，将第三通孔底部刻蚀至所述半导体器件的二氧化硅层形成第四通孔，去除所述第四通孔内剩余的所述抗反射材料，形成第五通孔；步骤六：继续刻蚀第五通孔。