[发明专利]利于填充的通孔制作方法

权利要求书

1.一种利于填充的通孔制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：提供一个半导体器件，在其表面依次沉积蚀刻停止层、内层介电层、抗反射层，并将所述抗反射层、内层介电层以及部分蚀刻停止层刻蚀出第一通孔；

步骤二：对步骤一形成的结构进行刻蚀，将所述第一通孔的底部刻蚀至二氧化硅层，形成第二通孔；

步骤三：对步骤二形成的结构沉积抗反射材料，使得所述第二通孔内填充抗反射材料；

步骤四：在步骤三形成结构上沉积第一光阻，并将第一光阻上原第二通孔对应之处显影出第三通孔，第三通孔的口径大于所述第二通孔的口径；

步骤五：对所述步骤四形成的结构进行刻蚀，将第三通孔底部刻蚀至所述半导体器件的二氧化硅层形成第四通孔，去除所述第四通孔内剩余的所述抗反射材料，形成第五通孔；

步骤六：继续刻蚀第五通孔。

2.如权利要求1所述的利于填充的通孔制作方法，其特征在于，步骤一中在所述抗反射层上形成第二光阻，通过曝光、显影、刻蚀形成第一通孔。

3.如权利要求2所述的利于填充的通孔制作方法，其特征在于，步骤一中所述刻蚀为等离子刻蚀，刻蚀气体包括CF₄和CH₂F₂。

4.如权利要求1所述的利于填充的通孔制作方法，其特征在于，步骤二中对所述第一通孔进行等离子刻蚀形成第二通孔，刻蚀气体包括CF₄、C₄F₆、Ar和O₂。

5.如权利要求1所述的利于填充的通孔制作方法，其特征在于，步骤二中刻蚀掉所述二氧化硅层厚度的四分之三形成第二通孔。

6.如权利要求1所述的利于填充的通孔制作方法，其特征在于，步骤五中使用包含CF₄、Ar和O₂的等离子气体刻蚀形成第四通孔，所述第四通孔的直径从上至下逐渐减小。

7.如权利要求1所述的利于填充的通孔制作方法，其特征在于，步骤五中去除所述第四通孔内剩余的所述抗反射材料通过向所述第四通孔内通入包含O₂的等离子气体。

8.如权利要求1所述的利于填充的通孔制作方法，其特征在于，步骤六使用包含C₄F₆、Ar和O₂的等离子气体刻蚀所述第五通孔内剩余的二氧化硅，然后使用包含CH₂F₂、CH₃F、Ar和O₂的等离子气体继续刻蚀所述第五通孔。

9.如权利要求1所述的利于填充的通孔制作方法，其特征在于，所述半导体器件为CMOS器件。