[发明专利]一种基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管制造方法

摘要

本发明提供一种基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管制造方法，其中包括：提供基板，在基板上沉积石墨烯层，并在石墨烯层上沉积自对准层；在自准层上旋涂第一光刻胶，经过图形化并刻蚀去除部分自对准层和石墨烯层后移除第一光刻胶；在自对准层上旋涂第二光刻胶，经图形化后在自对准层的中心位置刻蚀开槽，保留第二正光刻胶；在槽中沉积栅介质层和栅电极，旋涂第三光刻胶层并进行图形化，保留槽上方的第三光刻胶，刻蚀部分栅介质层和栅电极，形成栅结构，去除第三光刻胶；产生源电极和漏电极。本发明能够在限定栅介质层的区域时使用正光刻胶，避免栅电极与石墨烯层直接接触，使得石墨烯场效应晶体管的性能更加稳定。

主权项

一种基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管制造方法，其特征在于，包括：步骤一、提供基板，在所述基板上沉积石墨烯层，并在所述石墨烯层上沉积自对准层；步骤二、在所述自准层上旋涂第一光刻胶，经过图形化后刻蚀去除所述自对准层和所述石墨烯层未被所述第一光刻胶覆盖的部分，随后移除所述第一光刻胶；步骤三、在所述自对准层上旋涂第二光刻胶，经图形化后刻蚀去除所述自对准层未被所述第二光刻胶覆盖的部分，在所述自对准层的中心位置开槽，并保留所述第二正光刻胶；步骤四、在所述槽中沉积栅介质层和栅电极，旋涂第三光刻胶层并进行图形化，保留所述槽上方的所述第三光刻胶，刻蚀所述栅介质层和所述栅电极未被所述第三光刻胶层覆盖的部分，形成栅结构，去除所述第三光刻胶；步骤五、产生源电极和漏电极。