[发明专利]一种基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管制造方法

权利要求书

1.一种基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管制造方法，其特征在于，包括：

步骤一、提供基板，在所述基板上沉积石墨烯层，并在所述石墨烯层上沉积自对准层；

步骤二、在所述自对准层上旋涂第一光刻胶，经过图形化后刻蚀去除所述自对准层和所述石墨烯层未被所述第一光刻胶覆盖的部分，随后移除所述第一光刻胶；

步骤三、在所述自对准层上旋涂第二光刻胶，所述第二光刻胶为正光刻胶，经图形化后刻蚀去除所述自对准层未被所述第二光刻胶覆盖的部分，在所述自对准层的中心位置开槽，并保留所述第二光刻胶；

步骤四、在所述槽中沉积栅介质层和栅电极，旋涂第三光刻胶层并进行图形化，保留所述槽上方的所述第三光刻胶，采用湿法刻蚀去除所述栅介质层和所述栅电极未被所述第三光刻胶层覆盖的部分，形成栅结构，去除所述第二光刻胶和所述第三光刻胶；

步骤五、产生源电极和漏电极。

2.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述第一光刻胶、第二光刻胶、第三光刻胶均为正性光刻胶。

3.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述基板为半导体基板、绝缘体基板、聚合物基板、层叠基板中的任何种类或其组合。

4.根据权利要求3所述的石墨烯场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述基板为硅基板，且在所述硅基板上覆盖有二氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述石墨烯层为单原子层或多原子层。

6.根据权利要求5所述的石墨烯场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述单原子层或多原子层中的石墨烯为单晶结构。

7.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述自对准层为与所述石墨烯层形成低接触电阻的金属层。

8.根据权利要求7所述的石墨烯场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述自对准层为金层、钯层、钛层或者其组合。

9.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述自对准层的中心位置的槽宽度为50nm-3000nm。

10.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管制造方法，其特征在于，所述栅介质层为氧化铝、二氧化铪、氮化硼、BCB、氧化钇或者其组合。