[发明专利]鳍片式二极管及其制造方法

摘要

本申请公开了一种鳍片式二极管及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，包括：衬底；在衬底上的第一和第二组鳍片、以及位于第一和第二组鳍片的之间的隔离区，隔离区的上表面低于第一和第二组鳍片的上表面；阱区，部分地在衬底中且与第一和第二组鳍片交叠，或者，全部地在衬底中且与第一和第二组鳍片邻接；在第一和第二组鳍片位于隔离区以上的部分的表面上形成电介质层；形成伪栅结构，伪栅结构覆盖第二组鳍片的端部上的电介质层以及隔离区的上表面或部分上表面；对第一组鳍片的至少一部分进行第一掺杂，以形成第一掺杂区；以伪栅结构为掩模对第二组鳍片及其下的阱区的一部分进行第二掺杂，以形成第二掺杂区。

主权项

1.一种鳍片式二极管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的第一组鳍片、第二组鳍片、以及位于所述第一组鳍片和所述第二组鳍片的之间的隔离区，所述隔离区的上表面低于所述第一组鳍片和所述第二组鳍片的上表面；以及阱区，部分地在所述衬底中且与所述第一组鳍片和所述第二组鳍片交叠，或者，全部地在所述衬底中且与所述第一组鳍片和所述第二组鳍片邻接；在所述第一组鳍片和所述第二组鳍片位于所述隔离区以上的部分的表面上形成电介质层；形成伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述第二组鳍片的端部上的电介质层以及所述隔离区的上表面或部分上表面；对所述第一组鳍片的至少一部分进行第一掺杂，以形成第一掺杂区；以及以所述伪栅结构为掩模对所述第二组鳍片和所述第二组鳍片下的阱区的一部分进行第二掺杂，以形成第二掺杂区；其中，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的导电类型不同，所述第一掺杂区与所述阱区的导电类型相同。